RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3223
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link