RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3223
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link