RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3273
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link