RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3273
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link