RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2404
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link