RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2511
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link