RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3741
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link