RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3205
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link