RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
4051
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link