RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2261
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link