RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3454
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link