Porównanie pamięci RAM Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.3 12.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.9 9.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 17000

Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 50

Wokół strony -72% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2512 2443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns