RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2876
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link