RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
21300
Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
23400
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2761
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link