RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link