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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3331
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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