RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link