RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link