RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link