RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3678
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link