RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2271
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link