RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2271
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A02LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link