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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
11.0
写入速度,GB/s
2,061.2
8.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2271
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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