RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link