RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link