RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link