RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link