RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link