RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
77
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link