RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
72
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
1731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link