RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3239
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GAB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link