RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link