RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link