RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2155
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link