RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
29
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link