RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
29
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link