RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
29
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link