RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link