RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link