Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

総合得点

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 51

周辺 43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

13.4 10.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.0 5.5

テスト平均値

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

考慮すべき理由
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 51
読み出し速度、GB/s

13.4 10.5
書き込み速度、GB/秒

9.0 5.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2423 1941

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

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Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB

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