RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link