RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link