RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2605
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link