RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link