RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link