RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link