RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link