RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905458-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX3M4A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link