RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link