RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link