RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link