RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
50
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2930
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link