RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
50
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2930
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link