RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
50
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2930
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link